AR251全極高靈敏度低電壓霍爾開關

    霍爾元件AR251是基于CMOS工藝設計和生產的霍爾IC，元件內部集成了霍爾效應片、電壓調節器、休眠喚醒控制電路、信號放大濾波電路、偏移補償電路、施密特觸發器，互補推挽輸出。它是一種雙磁極性磁感應開關，能夠感應到磁體的N極和S極的磁場強度，AR251通過周期性休眠和喚醒工作，達到降低功耗的作用。，喚醒期間檢測環境磁場強度，休眠狀態保持**后輸出狀態。

    霍爾磁性開關AR251有TSOT-23、TO-92S，超小超薄DFN封裝，適合用于越來越輕薄的便攜移動設備中，所有封裝都符合RoSH環保標準。低功耗，I_DD=5uA

等同敏感N和S極

微功耗，I_DD=5uA

工作電壓：1.65-5.5V

互補推挽輸出

靈敏度溫漂小

高靈敏度

無鉛封裝：SOT-23/TSOT-23/TO-92/DFN

霍爾元件應用霍爾效應的半導體。
所謂霍爾效應，是指磁場作用于載流金屬導體、半導體中的載流子時，產生橫向電位差的物理現象。金屬的霍爾效應是1879年被美國物理學家霍爾發現的。當電流通過金屬箔片時，若在垂直于電流的方向施加磁場，則金屬箔片兩側面會出現橫向電位差。半導體中的霍爾效應比金屬箔片中更為明顯，而鐵磁金屬在特定溫度以下將呈現極強的霍爾效應。
利用霍爾效應可以設計制成多種傳感器。霍爾電位差UH的基本關系為:
UH=RHIB/d （1） RH=1/nq（金屬） （2）
式中 RH――霍爾系數；n――單位體積內載流子或自由電子的個數；q――電子電量；I――通過的電流；B――垂直于I的磁強度；d――導體的厚度。
對于半導體和鐵磁金屬，霍爾系數表達式和式（2）不同，此處從略。
由于通電導線周圍存在磁場，其大小和導線中的電流成正比，故可以利用霍爾元件測量出磁場，就可確定導線電流的大小。利用這一原理可以設計制成霍爾電流傳感器。其**點是不和被測電路發生電接觸，不影響被測電路，不消耗被測電源的功率，特別適合于大電流傳感。
若把霍爾元件置于電場強度為E、磁場強度為H的電磁場中，則在該元件中將產生電流I，元件上同時產生的霍爾電位差和電場強度E成正比，如果再測出該電磁場的磁場強度，則電磁場的功率密度瞬時值P可由P=EH確定。
利用這種方法可以構成霍爾功率傳感器。
如果把霍爾元件集成的開關按預定位置有規律地布置在物體上，當裝在運動物體上的永磁體經過它時，可以從測量電路上測得脈沖信號。根據脈沖信號列可以傳感出該運動物體的位移。若測出單位時間內發出的脈沖數，則可以確定其運動速度。