KRi 離子源常見工藝應(yīng)用
通過使用上海伯東美國(guó) KRi 離子源可以對(duì)材料進(jìn)行加工, 真空環(huán)境下, 實(shí)現(xiàn)沉積薄膜, 干式蝕刻和材料表面改性等工藝.
KRi 離子源常見工藝應(yīng)用
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工藝應(yīng)用
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簡(jiǎn)稱
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In-situ substrate preclean 預(yù)清潔
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PC
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Ion-beam modification of material and surface properties
材料和表面改性
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IBSM
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- Surface polishing or smoothing 表面拋光
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- Surface nanostructures and texturing
表面納米結(jié)構(gòu)和紋理
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- Ion figuring and enhancement 離子計(jì)算和增強(qiáng)
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- Ion trimming and tuning 離子修整和調(diào)諧
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- Surface-activated bonding 表面激活鍵合
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SAB
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Ion-beam-assisted deposition 輔助鍍膜
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IBAD
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Ion-beam etching 離子蝕刻
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IBE
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- Reactive ion-beam etching 活性離子束蝕刻
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RIBE
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- Chemically assisted ion-beam etching 化學(xué)輔助離子束蝕刻
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CAIBE
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Ion-beam sputter deposition 離子濺射
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IBSD
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- Reactive ion-beam sputter deposition 反應(yīng)離子濺射
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RIBSD
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- Biased target ion-beam sputter deposition
偏壓靶離子束濺射
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BTIBSD
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Direct deposition 直接沉積
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DD
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- Hard and functional coatings
硬質(zhì)和功能性涂料
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1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等**域, 上海伯東是美國(guó) KRi考夫曼公司離子源中國(guó)總代理.
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