立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)(約從 200nm 開(kāi)始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導(dǎo)體等特點(diǎn), 在切削工具/ 耐磨材料/ 光學(xué)元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和**緣涂覆層等方面具有很大的應(yīng)用潛力.

在對(duì)立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

該實(shí)驗(yàn)中, 采用的是射頻濺射沉積的方法, 沉積基片為硅片, 熱壓的 hBN 作為靶材, 濺射氣體為 Ar 和N₂ 的混合氣體.

磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)中一種手段比較豐富的方法, 可以通過(guò)控制調(diào)節(jié)鍍膜參數(shù), 得到更加致密, 均勻, 結(jié)合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學(xué)鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問(wèn)題, 從環(huán)境保護(hù)的角度來(lái)看, 磁控濺射較電鍍化學(xué)鍍更加綠色環(huán)保.

實(shí)驗(yàn)結(jié)果:

采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜時(shí), 具有沉積的膜層顆粒尺寸小/ 薄膜中立方含量高/ 工藝可控性好等特點(diǎn).

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品**的指定代理商.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅**生                               臺(tái)灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!