為了得到**佳性能的磁控濺射 Cu-W 薄膜, 某大學(xué)新材料研究所采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射技術(shù)在基片上沉積 Cu-W 膜.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

上圖為磁控濺射系統(tǒng)工作示意圖

KRI 離子源的**特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的. 因此伯東的KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP380 被客戶采用作為 4, 5 濺射離子源.

客戶材料:

基片為φ25mmX4mm 的玻璃片, W 靶純度 99.9%, 尺寸 φ76mmX4mm, 銅靶純度 99.99%, 尺寸 φ76mmX4mm, 工作氣體為純度 99.99% 的氬氣.

運(yùn)行結(jié)果:

當(dāng) W 含量在11.1%時(shí), Cu-W 薄膜具有**好的硬度和耐磨性.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品**的指定代理商.

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